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金子忠昭・理工学部先進エネルギーナノ工学科教授の技術がSiC高品質薄板化エピウェハとして製品化-東洋炭素(株)が製品化、サンプル供給を開始-

[ 編集者:広報室  2016年4月14日 更新 ]
 金子忠昭・関西学院大学理工学部先進エネルギーナノ工学科教授と東洋炭素株式会社は、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)のプロジェクトにおいて、コア技術の「Si蒸気圧エッチング技術」を用いた「SiCウエハの平坦表面処理技術」を完成、従来の処理法に比べて欠陥を1/20に低減しました。さらに、この「Si蒸気圧エッチング技術」を応用することで、ウエハ薄板化加工も容易となり、高品質薄板化SiCエピウエハの製造を可能としました。本技術を用いることでSiCデバイスの実用化が加速、自動車や機器の省エネ化を可能にします。
東洋炭素㈱は、これらの開発技術を統合して、量産製造装置の導入、製品化し、特定顧客へ「高品質薄板化SiCエピウエハ」のサンプル供給を開始しました。

 当該技術は、金子忠昭・教授がNEDOの委託を受けて実施した『大面積SiC革新的基盤技術開発』事業(2006-2008年度)にて東洋炭素(株)と高耐熱性部材TaCを共同開発した事を端緒とします。本発明はその後関西学院大学から東洋炭素(株)に有償で譲渡され、東洋炭素(株)が保有する高耐熱性部材TaCの製造技術と関西学院大学の高温熱化学反応制御技術を融合することで、SiC表面処理(エッチング)に必要なSi付与TaC坩堝を実現、SiCウェハ表面処理プロセスに適用しました。これにより、従来のCMP法では実現できない機械加工に伴うダメージ層や潜傷の除去が可能な表面処理技術を確立、プロセス管理手法を含む4インチウェハ処理技術として完成させました。

詳細は以下リンク先のプレスリリースをご参照ください。